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GDDR7

Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.
GDDR7
Desenvolvedor
JEDEC
Tipo
Synchronous dynamic random-access memory
Geração
7ª Geração
Antecessor
GDDR6 SDRAM

Graphics Double Data Rate 7 Synchronous Dynamic Random-Access Memory (GDDR7 SDRAM) é um tipo de memória gráfica de acesso aleatório síncrona (SGRAM) especificada pelo JEDEC Semiconductor Memory Standard, com alta largura de banda, interface de "Double data rate", projetada para uso em placas gráficas, consoles de jogos, e computação de alto desempenho. É um tipo de GDDR SDRAM (gráfico DDR SDRAM), e é o sucessor do GDDR6

  • No Samsung Tech Day 2022, a Samsung anunciou o GDDR7 como o sucessor do GDDR6X, que poderia fornecer até 36 GT/s.[1] A Samsung anunciou dois meses depois que usaria a sinalização PAM-3 para atingir a maior taxa de transferência.[2]
  • Em 8 de março de 2023, a Cadence anunciou a ferramenta de solução de verificação para produção preliminar de SDRAM GDDR7.[3]
  • Em 30 de junho de 2023, a Micron anunciou que será fabricado usando nó 1ß (equivalente ao nó de processo de 12–10 nm), com lançamento previsto para o primeiro semestre de 2024.[4]
  • Em 18 de julho de 2023, a Samsung anunciou a primeira geração do GDDR7, que pode atingir até 32 Gbps por pino (largura de banda 33% maior por pino em comparação com 24 Gbps por pino no GDDR6), largura de banda 40% maior (1,5 TB/s) em comparação com GDDR6 (1,1 TB/s) e 20% mais eficiente em termos energéticos. Para o material de embalagem, utilizará composto de moldagem epóxi (EMC) juntamente com otimização da arquitetura IC, o que reduzirá a resistência térmica em 70%.[5] Mais tarde, em uma sessão de perguntas e respostas, a Samsung mencionou que será fabricado usando o nó D1z (equivalente a 15–14 nm[6]) e operará em 1,2V. Uma versão 1.1V com velocidades de clock reduzidas também será disponibilizada em algum momento no futuro, após o lançamento da versão 1.2V.[7]
  • Em 5 de março de 2024, a JEDEC publicou oficial e publicamente o padrão de memória gráfica GDDR7.[8]

GDDR7 SDRAM introduziu sinalização PAM-3 (modulação de amplitude de pulso de 3 níveis) em vez de NRZ. O PAM-3 é 20% mais eficiente em termos energéticos que o NRZ, com maior largura de banda e requisitos de equipamento mais baixos que o PAM-4, o que o torna mais barato. O PAM-3 usa 1,58 bits por ciclo, enquanto o NRZ usa apenas 1 bit por ciclo.[9] SDRAM GDDR7 também será fabricada usando nó 1ß (equivalente ao nó de processo de 12–10 nm), que será o último processo de produção de DRAM que dependerá de ferramentas de litografia ultravioleta profunda (DUV).

Referências

  1. «Samsung announces 36 Gbps GDDR7 memory standard, aims to release V-NAND storage solutions with 1000 layers by 2030». Notebookcheck (em inglês). 6 de outubro de 2022. Consultado em 9 de abril de 2024 
  2. Discuss, btarunr (5 de dezembro de 2022). «Samsung Reveals GDDR7 Memory Uses PAM3 Signalling to Achieve 36 Gbps Data-Rate». TechPowerUp (em inglês). Consultado em 9 de abril de 2024 
  3. «Cadence announces first GDDR7 verification solution». VideoCardz.com (em inglês). Consultado em 9 de abril de 2024 
  4. «Micron could introduce GDDR7 memory chips in early 2024». TechSpot (em inglês). 30 de junho de 2023. Consultado em 9 de abril de 2024 
  5. «Samsung develops industry's first GDDR7 DRAM with 1.5 TBps bandwidth». Notebookcheck (em inglês). 19 de julho de 2023. Consultado em 9 de abril de 2024 
  6. Memory Technology 2021: Trends & Challenges (PDF), 2021, consultado em 9 de abril de 2024 
  7. Smith, Ryan. «Samsung Completes Initial GDDR7 Development: First Parts to Reach Up to 32Gbps/pin». www.anandtech.com. Consultado em 9 de abril de 2024 
  8. «JEDEC Publishes GDDR7 Graphics Memory Standard | JEDEC». www.jedec.org. Consultado em 9 de abril de 2024 
  9. Anton Shilov (19 de julho de 2023). «GDDR7 Arrives: Samsung Outs World's First Chip, 32 GT/s for Next-Gen GPUs». Tom's Hardware (em inglês). Consultado em 9 de abril de 2024